Reactive Ion Etching의 실험결과에 대한 정리, selective etching이 되는 이유
Reactive Ion Etching은 플라즈마 상태의 이온들이 substrate에 빠른 속도로 부딪혀 physical etching인 Ion bombardment를 일으키거나 chemical etching인 'substrate와 결합 뒤 떼어짐'이 일어나 식각을 한다. Fluorocarbon gas(CFx)를 plasma로 만들어 etching을 할 때 RF를 약하게 가하면(low self-bias voltages) 이온들이 느린속도로 substrate로 달려간다. 속도가 느리면 low ion bombardment energy를 갖고 있는데, 이럴 경우 net fluorocarbon depositon을 일으킨다. 즉, CFx 플라즈마들이 substrate위에 눈마냥 쌓여서 layer를 만든다. 비처럼 ..