[공대 대학원 생활] 실리콘을 대체할 저마늄,게르마늄 반도체 지식 Ge-Based Metal-Oxide-semiconductor capacitor의 최근 연구 동향 최근 Germanium은 Silicon으로 이루어진 반도체 디바이스의 대체 물질로 생각되고 있다. 실리콘으로 이루어진 기존 반도체 디바이스는 scale down(크기 작게하기)이 점점 이뤄짐에 따라 한계에 부딪혔기 때문이다. 크기를 줄이는 이유는 속도를 빠르게 하고 , 에너지 효율을 높이기 위해서다. 먼저 MOS 구조에 대해 간단히 알려주자면 Metal에 우리가 원하는 voltage를 걸어주고 Oxide는 전자가 흐르지 않도록 막아준다. Semiconductor은 Voltage의 양에 따라 전하가 모일수도 있고 흩어질 수도 있다. 반도체를 통해 전하를 저장하기도, 지우기도 하기 때문에 우리는 여러 제품들의 정보를 저장할수도, 지울수도 있다. USB나 컴퓨터 속에 들어있는 RAM을 생각하면 편한데 만약 전.. 공대 대학원 생활 & 반도체 지식 6년 전
Reactive Ion Etching의 실험결과에 대한 정리, selective etching이 되는 이유 Reactive Ion Etching은 플라즈마 상태의 이온들이 substrate에 빠른 속도로 부딪혀 physical etching인 Ion bombardment를 일으키거나 chemical etching인 'substrate와 결합 뒤 떼어짐'이 일어나 식각을 한다. Fluorocarbon gas(CFx)를 plasma로 만들어 etching을 할 때 RF를 약하게 가하면(low self-bias voltages) 이온들이 느린속도로 substrate로 달려간다. 속도가 느리면 low ion bombardment energy를 갖고 있는데, 이럴 경우 net fluorocarbon depositon을 일으킨다. 즉, CFx 플라즈마들이 substrate위에 눈마냥 쌓여서 layer를 만든다. 비처럼 .. 공대 대학원 생활 & 반도체 지식 6년 전
