Reactive Ion Etching의 실험결과에 대한 정리, selective etching이 되는 이유 Reactive Ion Etching은 플라즈마 상태의 이온들이 substrate에 빠른 속도로 부딪혀 physical etching인 Ion bombardment를 일으키거나 chemical etching인 'substrate와 결합 뒤 떼어짐'이 일어나 식각을 한다. Fluorocarbon gas(CFx)를 plasma로 만들어 etching을 할 때 RF를 약하게 가하면(low self-bias voltages) 이온들이 느린속도로 substrate로 달려간다. 속도가 느리면 low ion bombardment energy를 갖고 있는데, 이럴 경우 net fluorocarbon depositon을 일으킨다. 즉, CFx 플라즈마들이 substrate위에 눈마냥 쌓여서 layer를 만든다. 비처럼 .. 공대 대학원 생활 & 반도체 지식 6년 전
RIE(Reactive Ion Etching)에 대해 알아보기(feat. 플라즈마의 원리) 안녕하세요 Jista입니다. 오늘은 Reactive Ion Etching에 대해 알아보겠습니다. 플라즈마의 개념을 알아야해서 살짝 어렵더라구요. 그래서 RIE에 대해 알기전 플라즈마에 관해 간략히 설명을 드릴게요. 플라즈마는 제 4의 물질로 알려져있습니다. 아마 고등학교때까지는 모든 물체가 고체,액체,기체로만 이루어져있다고 배웠을겁니다. 하지만 기체에 아주 강한 에너지를 가해주면 플라즈마 상태라는 것이 생깁니다. 위 그림을 보시면 고체에 에너지(혹은 열)을 가하면 분자사이의 몇몇 결합이 끊어져 액체가 됩니다. 마찬가지로 액체에 에너지를 가하면 분자사이의 결합이 끊어져 기체가 됩니다. 이때까지만 해도 +와 -는 원자에 속해있기 때문에 원자 하나하나 개별로 봐도, 전체적(원자들의 집단)으로 봐도 중성입니다... 공대 대학원 생활 & 반도체 지식 6년 전
