Reactive Ion Etching의 실험결과에 대한 정리, selective etching이 되는 이유 Reactive Ion Etching은 플라즈마 상태의 이온들이 substrate에 빠른 속도로 부딪혀 physical etching인 Ion bombardment를 일으키거나 chemical etching인 'substrate와 결합 뒤 떼어짐'이 일어나 식각을 한다. Fluorocarbon gas(CFx)를 plasma로 만들어 etching을 할 때 RF를 약하게 가하면(low self-bias voltages) 이온들이 느린속도로 substrate로 달려간다. 속도가 느리면 low ion bombardment energy를 갖고 있는데, 이럴 경우 net fluorocarbon depositon을 일으킨다. 즉, CFx 플라즈마들이 substrate위에 눈마냥 쌓여서 layer를 만든다. 비처럼 .. 공대 대학원 생활 & 반도체 지식 6년 전
